先日、ノートPC内蔵SSDのベンチマークを取りたくて、CrystalDiskMark 3.0というソフトウェアをインストールした。せっかくなので、N900の内蔵ストレージのベンチマークもしてみた。結果は、以下の通り。
 
  Sequential Read :    11.403 MB/s
  Sequential Write :    13.138 MB/s
  Random Read 512KB :    11.398 MB/s
  Random Write 512KB :     1.865 MB/s
  Random Read 4KB (QD=1) :     2.475 MB/s [   604.4 IOPS]
  Random Write 4KB (QD=1) :     0.017 MB/s [     4.1 IOPS]
  Random Read 4KB (QD=32) :     2.844 MB/s [   694.4 IOPS]
  Random Write 4KB (QD=32) :     0.031 MB/s [     7.5 IOPS]
 
  Test : 100 MB [E: 36.9% (10.0/27.0 GB)] (x5)
    N900 internal storage (via USB Mass storage mode)
 
ReadはSequentialもRandomも11.4MB/s。WriteはSequentialが13.1MB/s、Randomが1.9MB/sとなった。IOPSはReadが700 IOPS弱、Writeが10 IOPS以下となった。WriteのIOPSはかなり低い一方、ReadのIOPSはなかなか良い値。Sequential Writeの13MB/sという値は、class10のメモリカードの遅いものと同程度というレベル。ただ、Class10の遅いカードでも、Sequential Readは18MB/sほどは出るので、全体としてClass6やclass4のカードよりは速いが、class10と比べると少し遅い、というレベル。512KBのRandom Writeも同様。という具合に判断してよいと思う。
 
ちなみに、しばらく前に、N900用に購入したTeamの8GB microSD class6をN900に取り付けたまま、USB mass storage modeでPCにつなぎ、測定してみた結果は以下の通り。
 
  Sequential Read :     7.873 MB/s
  Sequential Write :     8.495 MB/s
  Random Read 512KB :     7.791 MB/s
  Random Write 512KB :     1.121 MB/s
  Random Read 4KB (QD=1) :     2.102 MB/s [   513.1 IOPS]
  Random Write 4KB (QD=1) :     0.011 MB/s [     2.6 IOPS]
  Random Read 4KB (QD=32) :     2.389 MB/s [   583.2 IOPS]
  Random Write 4KB (QD=32) :     0.015 MB/s [     3.7 IOPS]
 
  Test : 100 MB [F: 0.0% (0.3/7596.0 MB)] (x5)
    Team 8GB microSD class6 on N900 (via USB mass storage mode)
 
ReadはSequentialもRandomも7.8MB/sほど。WriteはSequentialが8.5MB/s、Randomが1.1MB/sとなった。IOPSはReadが500 IOPS超、Writeがやはり10 IOPS以下となった。偶然だと思うが、全体としてN900の結果とそっくりの傾向を示し、一様にN900の60-70%ほどのパフォーマンスという結果だった。メモリコントローラが同系列なのだろうか？それとも別の理由か？
 
一方、別の用途で使っていたSanDiskの16GB microSD class4を同様にN900に取り付け、測定してみた結果は以下の通り。
 
  Sequential Read :    10.260 MB/s
  Sequential Write :     5.455 MB/s
  Random Read 512KB :    10.228 MB/s
  Random Write 512KB :     1.062 MB/s
  Random Read 4KB (QD=1) :     2.200 MB/s [   537.1 IOPS]
  Random Write 4KB (QD=1) :     1.602 MB/s [   391.1 IOPS]
  Random Read 4KB (QD=32) :     2.343 MB/s [   572.0 IOPS]
  Random Write 4KB (QD=32) :     1.168 MB/s [   285.3 IOPS]
 
  Test : 100 MB [F: 41.6% (6.2/14.8 GB)] (x5)
    SanDisk 16GB microSD class4 on N900 (via Mass storage mode)
 
Class4なので、Sequential Writeが5.5MB/sほどしか出ていない。その一方、Sequential Readは10.3MB/s、ReadのIOPSが約550 IOPS、WriteのIOPSが300 IOPS前後と、RandomのWriteの落ち込みがない。
 
N900のWriteのIOPSが悪い理由として、初め、USBまわりの出来がよくないか相性が悪いことを疑ったが、SanDiskのmicroSDは、class4と遅いカードであるにもかかわらず、WriteのIOPSがきちんと出ているので、どうやら、内蔵のメモリコントローラが遅くて、この結果は実力ということなのかもしれない、と思い始めている。Teamのclass6も同様で、おそらくこっちもメモリカードコントローラが旧世代なのだと思う。一方、SanDiskのmicroSDは、もともとRead,Writeのバランスが良いと言われていて、コントローラがもともとそういう設計なのか、あるいは今回のカードが比較的新しいコントローラを使っているのか、わからないが、そういうことなのだと思う。
 
N900のこのベンチマーク結果が正しいとして、実際の使い勝手に影響があるとすれば、それは仮想メモリを使っている時だろうか？N900は（当時としては最高容量だが）RAMを256MBしか積んでいないので、アプリを大量に起動したときなど物理メモリが足りなくなった際、仮想メモリを利用して動作するようになっている。その仕組みのおかげで立ち上げることだけはできるけれども、実際のところあまり使える反応速度ではなくなってしまう。もし、WriteのIOPSがRead並みであれば、使えるレベルになったかもしれない気はする。
 

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